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미래를 창조하는 포스텍 화학공학과

[노준석 교수]차세대 메모리 CB램 성능향상 기술 개발

작성자
최고관리자
작성일
19-02-08 11:10
조회수
1,407
포스텍 연구팀이 차세대 메모리 CB램의 성능향상 기술 개발에 성공했다. 포스텍은 기계공학과·화학공학과 노준석(사진) 교수와 황현상 교수팀이 질소를 도핑한 GST(게르마늄, 안티모니, 텔루륨이 결합된 화합물질)를 이용, 저항률이 100배 증가해 성능이 크게 향상된 CB램 소자를 개발했다고 7일 밝혔다.
 
 
 
 
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