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미래를 창조하는 포스텍 화학공학과
노준석 포스텍 기계공학과·화학공학과 교수와 황현상 교수 연구팀은 질소를 도핑한 GST(게르마늄, 안티모니, 텔루늄이 결합된 화합물 물질)를 이용해 기존 CB램보다 저항률을 100배 높인 CB램 소자를 개발했다고 6일 밝혔다. 연구결과는 재료 분야 국제 학술지 ‘어드밴스드 일렉트로닉스 머티리얼스(Advanced Electronics Materials)’ 표지논문으로 실렸다.
- 기사 원문 보기 : http://dongascience.donga.com/news/view/26669
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http://www.etnews.com/20190206000126
http://www.segye.com/newsView/20190206001209
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